- パワー半導体・光通信デバイス実装を可能としたソルダーダイボンダ
- 温度(最大400℃)条件での高精度搭載を実現
- はんだ酸化を防ぐ酸素濃度制御下での接合(酸素濃度500ppm以下)
- プロセスゾーン(pre/main/after)ごとの温度制御に対応
- 様々な形状(ペースト/リボン)のはんだ供給が可能
特徴
基本仕様
基板供給 | 搬送キャリアまたはダイレクト搬送 |
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はんだ供給 | プリフォームはんだ(リボンはんだ) |
チップ供給 | チップトレイ(段積み) |
加圧荷重 | はんだ搭載ヘッド:1[N] |
チップ搭載ヘッド | 設定温度 最大400[℃](コンスタントヒート方式) |
基板供給 | 基板搬送キャリアまたはダイレクト搬送 |
タクトタイム | 5[sec/個] |
ローダ、アンローダ | マガジン供給・収納 |
搭載精度 | ±50μm |
外形寸法(W×D×H) | 3,700×1,350×1,650[mm] |
重量 | 約3,500kg |